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专利号：	CN106134489B
专利授权日期：	2014-10-22
专利申请日期：	2012-12-26
专利名称：	一种高温压力传感器封装结构
专利权人：	北京********究所
专利所属国：	CN
专利用途：	有效减小工艺应力和高温热应力对MEMS压力传感器敏感芯片的影响
行业：	物联网
主分类号：	H01L23/28
ipc号：	H01L23/28; G01L1/16; G01L1/18
公开号：	CN106134489B
技术应用：	传感器封装结构
技术点：	结构改进
技术效果：	有效减小工艺应力和高温热应力对MEMS压力传感器敏感芯片的影响
法律状态更新：	2016-11-16
简单法律状态：	有效

本发明涉及一种高温压力传感器封装结构，包括碳化硅敏感芯片、氮化铝基座、应力缓冲基片、高温封接玻璃、引线柱、可伐外罩和热电偶，其中氮化铝基座上表面具有一凸台，凸台上放置应力缓冲基片，应力缓冲基片上放置碳化硅敏感芯片；凸台外围为应力隔离槽，应力隔离槽外围设有两个或两个以上的通孔，引线柱穿过通孔通过高温封接玻璃烧结实现引线柱与氮化铝基座的固定连接，氮化铝基座下表面安装热电偶，氮化铝基座通过定位台阶放置于可伐外罩上，并且氮化铝基座和可伐外罩之间通过高温封接玻璃进行烧结连接。该封装结构耐高温，有效减小工艺应力和高温热应力对MEMS压力传感器敏感芯片的影响，进一步提升传感器高温测量精度。

合作单位