融合技术检索系统

专利号：	CN106508091B
专利授权日期：	2011-06-01
专利申请日期：	2006-08-11
专利名称：	一种互补金属氧化物半导体可控增益前置放大方法及电路
专利权人：	中国********究所
专利所属国：	CN
专利用途：	大幅度的降低整个传感器系统的体积，重量以及功耗，提高传感器系统的可靠性
行业：	物联网
主分类号：	H03F3/18
ipc号：	H03F3/18; H03G3/30
公开号：	CN106508091B
技术应用：	微型电场传感器
技术点：	在互补金属氧化物半导体上，利用工作在线性区的长沟道晶体管实现反馈电阻
技术效果：	大幅度的降低整个传感器系统的体积，重量以及功耗，提高传感器系统的可靠性
法律状态更新：	2017-03-15
简单法律状态：	有效

本发明公开一种微型电场传感器的互补金属氧化物半导体可控增益前置放大方法及电路。方法是：在互补金属氧化物半导体上，利用工作在线性区的长沟道晶体管实现反馈电阻，通过调节偏置电流，实现增益的控制来扩大电流信号的输入动态范围，对电流电压转换后的两路差分信号放大。电路包括：电流转换单元、电压放大单元。利用本发明可将微型电场传感器的信号读出电路微型化，并与传感器封装在同一基片上，甚至实现单片集成，大幅度的降低整个传感器系统的体积，重量以及功耗，提高传感器系统的可靠性，本发明具有微型化、低功耗、低成本以及高性能、智能化的优势。

合作单位