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专利号: CN106507790B
专利授权日期: 2016-10-05
专利申请日期: 2002-09-23
专利名称: C-SiC陶瓷基复合材料构件的复合热防护涂层及其制备方法
专利权人: 西北********大学
专利所属国: CN
专利用途: 提高C-SiC构件的密封性、高温抗氧化性、高温抗冲刷性,具有降低喷管材料成本,显著提高喷管寿命的优点
行业: 先进陶瓷材料
主分类号: C04B41/90
ipc号: C04B41/90; C23C16/14; C23C16/40
公开号: CN106507790B
技术应用: C/SiC陶瓷基复合材料的复合热防护涂层
技术点: MOCVD法制备厚度为1~10μm铱膜底层和厚度为10~1000μm氧化物膜表层,所述的氧化物膜表层是YAG或者Y2O3
技术效果: 提高C-SiC构件的密封性、高温抗氧化性、高温抗冲刷性,具有降低喷管材料成本,显著提高喷管寿命的优点
法律状态更新: 2017-03-15
简单法律状态: 有效
主专利描述
本发明涉及一种C-SiC陶瓷基复合材料构件的复合热防护涂层及其制备方法。该复合热防护涂层由厚度为1~10μm铱膜底层和厚度为10~1000μm氧化物膜表层组成,所述的氧化物膜表层是YAG或者Y2O3。本发明复合热防护涂层的制备方法是,(1)先对制备好的C-SiC陶瓷构件进行高温处理,然后随炉冷却至室温,(2)再在C-SiC构件上制备一层铱膜,(3)然后在铱膜上制备氧化物膜,形成复合热防护涂层,该复合热防护涂层可提高C-SiC构件的密封性、高温抗氧化性、高温抗冲刷性,从而使C-SiC陶瓷构件可用于卫星等航天器喷管领域。
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专利标题专利公开号
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