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| 专利号： |
CN106507852B |
| 专利授权日期： |
2014-08-27 |
| 专利申请日期： |
2010-09-26 |
| 专利名称： |
一种在碳化硅陶瓷基底上的化学镀镍磷合金方法 |
| 专利权人： |
中国********究所 |
| 专利所属国： |
CN |
| 专利用途： |
稳定性高，沉积速度快 |
| 行业： |
先进陶瓷材料 |
| 主分类号： |
C23C18/36 |
| ipc号： |
C23C18/36; C23C18/18 |
| 公开号： |
CN106507852B |
| 技术应用： |
在碳化硅陶瓷基底上镀覆镍磷合金 |
| 技术点： |
利用新型离子钯溶液的SiC陶瓷表面活化和敏化技术 |
| 技术效果： |
稳定性高，沉积速度快 |
| 法律状态更新： |
2018-09-14 |
| 简单法律状态： |
失效 |
-
本发明涉及一种在碳化硅陶瓷基底上通过化学镀技术进行镍磷合金镀覆的方法，其特征在于：(1)采用“去离子水预先浸泡”结合丙酮、乙醇的超声清洗方式对碳化硅基底进行除油和清洗；(2)进行金属钯活化前，先对基底进行高温氧化，再用氢氟酸进行腐蚀，以增强化学镀层与基底的结合强度；(3)采用离子钯活化液进行活化，可有效避免亚锡离子对镀液的干扰，以及酸雾对设备、环境、操作人员的危害；(4)使用基于次亚磷酸钠的酸性镀液在超光滑或粗糙的碳化硅陶瓷基底上施镀，镀层致密光滑，呈非晶结构；(5)经化学镀表面改性后，通过在高温及不同气氛下的热处理过程，使非晶镍磷镀层发生结晶化，从而大幅度提高镀层硬度、耐磨性等的机械性能。
| 专利标题 | 专利公开号 |
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