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| 专利号： |
CN107182242B |
| 专利授权日期： |
2016-10-05 |
| 专利申请日期： |
2002-12-25 |
| 专利名称： |
多次化学气相沉积制备碳化硅涂层的方法 |
| 专利权人： |
西北********大学 |
| 专利所属国： |
CN |
| 专利用途： |
提高碳化硅涂层的防氧化性能 |
| 行业： |
先进陶瓷材料 |
| 主分类号： |
C23C16/32 |
| ipc号： |
C23C16/32; C23C14/48 |
| 公开号： |
CN107182242B |
| 技术应用： |
碳化硅涂层的制备 |
| 技术点： |
多次化学气相沉积 |
| 技术效果： |
提高碳化硅涂层的防氧化性能 |
| 法律状态更新： |
2016-10-05 |
| 简单法律状态： |
有效 |
-
本发明涉及一种多次化学气相沉积制备碳化硅涂层的方法，该方法是在碳基或碳化硅基复合材料上多次化学气相沉积碳化硅涂层过程中，进行硼离子和铝离子注入；其中，在第二次和最后一次沉积碳化硅涂层之间，每次沉积碳化硅涂层后进行一次硼离子注入，在最后一次沉积碳化硅涂层后，进行一次铝离子注入。本发明方法提高了碳化硅涂层的防氧化性能。
| 专利标题 | 专利公开号 |
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