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专利号: |
CN106342335B |
专利授权日期: |
2013-07-10 |
专利申请日期: |
2010-07-28 |
专利名称: |
一种C-B4C中子吸收球及其制备方法 |
专利权人: |
中国********公司 |
专利所属国: |
CN |
专利用途: |
制备工艺简单,成本低,易于规模化生产 |
行业: |
核能 |
主分类号: |
G21F1/00 |
ipc号: |
G21F1/00; G21F3/00 |
公开号: |
CN106342335B |
技术应用: |
C-B4C中子吸收球及其制备方法 |
技术点: |
化学气相沉积技术等工艺 |
技术效果: |
制备工艺简单,成本低,易于规模化生产 |
法律状态更新: |
2017-01-18 |
简单法律状态: |
有效 |
-
本发明涉及一种C-B4C中子吸收球及其制备方法,属于核材料领域。本发明是将石墨、碳化硼粉体和酚醛树脂加入到无水乙醇溶剂中,经混料、干燥造粒、等静压成型及气氛(真空)烧结后,经加工后采用化学气相沉积技术进行表面改性处理,得到性能优异的C-B4C中子吸收球。本发明提供的中子吸收球制备工艺简单,成本低,易于规模化生产。
专利标题 | 专利公开号 |
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